1907  Der britische Wissenschaftler Henry Joseph Round entdeckte, dass in Siliziumkarbidkristallen Lumineszenz zu beobachten ist, wenn Strom angelegt wird.

1927  Der russische Wissenschaftler Oleg Lossew beobachtete erneut den „Rundeffekt“ der Lichtemission.Anschließend untersuchte und beschrieb er dieses Phänomen genauer

1935 Der französische Wissenschaftler Georges Destriau veröffentlichte einen Bericht über das Elektrolumineszenzphänomen von Zinksulfidpulver.Zum Gedenken an die Vorgänger nannte er diesen Effekt „Lossew Light“ und schlug heute den Begriff „Elector-Lumineszenz-Phänomen“ vor.

1950  Die Entwicklung der Halbleiterphysik in den frühen 1950er Jahren lieferte die theoretische Grundlagenforschung für elektrooptische Phänomene, während die Halbleiterindustrie reine, dotierte Halbleiterwafer für die LED-Forschung bereitstellte

1962  Nick Holon Yak, Jr. und SF Bevacqua von der GF Company verwendeten GaAsP-Materialien zur Herstellung roter Leuchtdioden.Dies ist die erste LED mit sichtbarem Licht, die als Vorläufer der modernen LED gilt

1965  Kommerzialisierung von Infrarotlicht emittierenden LEDs und baldige Kommerzialisierung von Galliumarsenid-LEDs mit rotem Phosphor

1968  Es erschienen mit Stickstoff dotierte Galliumarsenid-LEDs

1970s  Es gibt grüne Galliumphosphat-LEDs und gelbe Siliziumkarbid-LEDs.Durch die Einführung neuer Materialien wird die Lichtausbeute von LEDs verbessert und das Lichtspektrum von LEDs auf oranges, gelbes und grünes Licht erweitert.

1993  Nakamura Shuji von der Nichia Chemical Company und andere entwickelten die erste leuchtend blaue Galliumnitrid-LED und verwendeten dann einen Indiumgalliumnitrid-Halbleiter, um ultrahelle ultraviolette, blaue und grüne LEDs unter Verwendung von Aluminiumgalliumindiumphosphid herzustellen. Der Halbleiter produzierte superhelle rote und gelbe LEDs.Außerdem wurde eine weiße LED entworfen.

1999  Kommerzialisierung von LEDs mit einer Ausgangsleistung von bis zu 1 W

Momentan Die globale LED-Industrie verfügt über drei technische Wege.Die erste ist die Saphir-Substrat-Route, die von der japanischen Firma Nichia vertreten wird.Es ist derzeit die am weitesten verbreitete und ausgereifteste Technologie, ihr Nachteil besteht jedoch darin, dass sie nicht in großen Größen hergestellt werden kann.Die zweite ist die LED-Technologieroute mit Siliziumkarbidsubstrat, die von der American CREE Company vertreten wird.Die Materialqualität ist gut, aber die Materialkosten sind hoch und es ist schwierig, große Abmessungen zu erreichen.Die dritte ist die von China Jingneng Optoelectronics erfundene Siliziumsubstrat-LED-Technologie, die die Vorteile niedriger Materialkosten, guter Leistung und Massenfertigung bietet.