1907 թ  Բրիտանացի գիտնական Հենրի Ջոզեֆ Ռաունդը հայտնաբերել է, որ սիլիցիումի կարբիդի բյուրեղներում լյումինեսցենտություն կարելի է գտնել, երբ հոսանք է կիրառվում:

1927 թ  Ռուս գիտնական Օլեգ Լոսևը ևս մեկ անգամ նկատել է լույսի արտանետման «կլոր էֆեկտը»:Հետո նա ավելի մանրամասն քննեց ու նկարագրեց այս երեւույթը

1935 թ Ֆրանսիացի գիտնական Ժորժ Դեստրիուն զեկույց է հրապարակել ցինկի սուլֆիդի փոշու էլեկտոր-լյումինեսցենցիայի ֆենոմենի մասին։Ի հիշատակ նախորդների՝ նա այս էֆեկտն անվանեց «Լույս կորցնել» և այսօր առաջարկեց «ընտրող-լյումինեսցենցիայի երևույթ» տերմինը։

1950 թ  1950-ականների սկզբին կիսահաղորդչային ֆիզիկայի զարգացումը տեսական հիմք է տվել ընտրիչ-օպտիկական երևույթների հետազոտությանը, մինչդեռ կիսահաղորդչային արդյունաբերությունը տրամադրել է մաքուր, լիցքավորված կիսահաղորդչային վաֆլիներ լուսադիոդային հետազոտության համար:

1962 թ  Նիք Հոլոն Յակը, կրտսերը և GF ընկերության SF Bevacqua-ն օգտագործել են GaAsP նյութեր՝ կարմիր լույս արձակող դիոդներ պատրաստելու համար։Սա առաջին տեսանելի լույսի LED-ն է, որը համարվում է ժամանակակից LED-ի նախահայրը

1965 թ  Շուտով ինֆրակարմիր լույս արձակող LED-ի կոմերցիոնացում և կարմիր ֆոսֆորի գալիումի արսենիդ LED-ի առևտրայնացում

1968 թ  Հայտնվել են ազոտով պարունակվող գալիումի արսենիդային լուսադիոդներ

1970 թs  Կան գալիումի ֆոսֆատ կանաչ LED-ներ և սիլիցիումի կարբիդ դեղին LED-ներ:Նոր նյութերի ներդրումը բարելավում է LED-ների լուսավոր արդյունավետությունը և ընդլայնում է LED-ների լուսավոր սպեկտրը մինչև նարնջագույն, դեղին և կանաչ լույս:

1993 թ  Nichia Chemical Company-ի Nakamura Shuji-ն և մյուսները մշակեցին առաջին վառ կապույտ գալիումի նիտրիդ LED-ը, այնուհետև օգտագործեցին ինդիումի գալիումի նիտրիդ կիսահաղորդիչը՝ ուլտրապայծառ ուլտրամանուշակագույն, կապույտ և կանաչ LED-ներ արտադրելու համար՝ օգտագործելով ալյումինե գալիումի ինդիում ֆոսֆիդ:Նախագծվել է նաև սպիտակ լուսադիոդ:

1999 թ  Մինչև 1 Վտ ելքային հզորությամբ LED-ների կոմերցիոնացում

Ներկայումս Համաշխարհային LED արդյունաբերությունն ունի երեք տեխնիկական երթուղի.Առաջինը շափյուղայի ենթաշերտի երթուղին է, որը ներկայացնում է ճապոնական Նիչիան:Ներկայումս այն ամենալայն կիրառվող և հասուն տեխնոլոգիան է, սակայն դրա թերությունն այն է, որ այն չի կարող պատրաստվել մեծ չափսերով:Երկրորդը սիլիցիումի կարբիդի ենթաշերտի LED տեխնոլոգիայի երթուղին է, որը ներկայացնում է ամերիկյան CREE ընկերությունը:Նյութի որակը լավ է, բայց դրա նյութական արժեքը բարձր է, և դժվար է հասնել մեծ չափի:Երրորդը China Jingneng Optoelectronics-ի կողմից հայտնագործված սիլիկոնային ենթաշերտի LED տեխնոլոգիան է, որն ունի նյութերի ցածր գնի, լավ կատարողականության և լայնածավալ արտադրության առավելություններ: