1907  O cientista britânico Henry Joseph Round descobriu que a luminescência pode ser encontrada em cristais de carboneto de silício quando a corrente é aplicada.

1927  O cientista russo Oleg Lossew observou mais uma vez o “efeito redondo” da emissão de luz.Então ele examinou e descreveu esse fenômeno com mais detalhes

1935 O cientista francês Georges Destriau publicou um relatório sobre o fenômeno da eletroluminescência do pó de sulfeto de zinco.Para comemorar os antecessores, ele chamou esse efeito de “luz de Lossew” e propôs hoje o termo “fenômeno de eletor-luminescência”.

1950  O desenvolvimento da física dos semicondutores no início da década de 1950 forneceu base teórica para pesquisa de fenômenos óptico-eleitorais, enquanto a indústria de semicondutores forneceu wafers semicondutores dopados e puros para pesquisa de LED.

1962  Nick Holon yak, Jr. e SF Bevacqua da GF Company usaram materiais GaAsP para fazer diodos emissores de luz vermelha.Este é o primeiro LED de luz visível, considerado o ancestral do LED moderno

1965  Comercialização de LED emissor de luz infravermelha e comercialização de LED de arsenieto de fósforo vermelho e gálio em breve

1968  Surgiram LEDs de arsenieto de gálio dopado com nitrogênio

1970s  Existem LEDs verdes de fosfato de gálio e LEDs amarelos de carboneto de silício.A introdução de novos materiais melhora a eficiência luminosa dos LEDs e amplia o espectro luminoso dos LEDs para luz laranja, amarela e verde.

1993  Nakamura Shuji da Nichia Chemical Company e outros desenvolveram o primeiro LED de nitreto de gálio azul brilhante e, em seguida, usaram semicondutor de nitreto de índio e gálio para produzir LEDs ultrabrilhantes ultravioleta, azul e verde, usando fosfeto de alumínio, gálio e índio. O semicondutor produziu LEDs vermelhos e amarelos super brilhantes.Um LED branco também foi projetado.

1999  Comercialização de LEDs com potência de saída até 1W

Atualmente A indústria global de LED possui três rotas técnicas.A primeira é a rota do substrato de safira representada pela japonesa Nichia.Atualmente é a tecnologia mais utilizada e mais madura, mas tem a desvantagem de não poder ser fabricada em grandes tamanhos.A segunda é a rota da tecnologia LED com substrato de carboneto de silício representada pela American CREE Company.A qualidade do material é boa, mas o custo do material é alto e é difícil atingir tamanhos grandes.A terceira é a tecnologia LED de substrato de silício inventada pela China Jingneng Optoelectronics, que tem as vantagens de baixo custo de material, bom desempenho e fabricação em larga escala.