1907  Henricus Josephus physicus Britanniae Round luminescentia deprehendi posse in crystallis carbide Pii applicatis venam reperiri posse.

1927  Russicus physicus Oleg Lossew iterum "effectum rotundum" luminis emissionis observavit.Deinde examinavit et hoc phaenomenon planius describit

1935 Gallicus physicus Georges Destriau relationem de phaenomeno zinci sulfidis pulveris electoris-luminiscentiae edidit.Ad Decessores memoriam, hunc modum "lux Lossew" nominavit ac nomen "electoris-luminiscentiae" hodie proposuit.

1950  Explicatio physicae semiconductoris primis annis 1950, fundamentum theoreticum investigationis pro phaenomenis electori-opticis praebuit, dum industria semiconductoris pura et semiconductor lagana ad investigationem DUXERIT.

1962  Nick Holon yak, Jr. et SF Bevacqua GF Societas usus est materias GaAsP ad lucem rubram emittens diodes.Haec est prima lux visi- bilis DUXIT, ut antecessor hodierni DUXERIT

1965  Commercialisatio lucis ultrarubri emittens DUXERIT, et mercaturam Gallii phosphori rubri mox arsenidi DUXERIT

1968  Nitrogenium gallium arsenide LEDs apparuit

1970s  Sunt gallium phosphas virides LEDs et pii carbide flavi LEDs.Introductio novarum materiarum lucidum efficientiam LEDs meliorat et extendit spectrum luminosum LEDs ad lucem aurantiorum, flavorum et viridium.

1993  Nichia Societas Chemical Nakamura Shuji et alii primum gallium nitride splendidum caeruleum duxerunt, et postea indium gallium nitridum semiconductorem adhibuit ad ultra-nitidum ultravioletum, caeruleum et viridis LEDs, utens aluminium gallium indium phosphidis. Semiconductor productus super LEDs rubeus et flavus.Etiam designatus est albus LED.

1999  Commercialization of LEDs with output power up to 1W

In statu Industria globalis LED tria habet vias technicas.Prima est via subiecta sapphiri, quae Nichia Iaponiae repraesentata est.Plenissima technologia usus est et perfectissima, sed incommodum est quod non potest fieri magnas moles.Secundum est carbidi pii substratum ducatur itineris technologiae technicae quae ab American CREE Company.Qualitas materialis bona est, sed sumptus materiales altus est et difficile est consequi magnam magnitudinem.Tertia est technicae technicae silicon subiectae inventae a Sinis Jingneng Optoelectronics, quae commoda rerum minorum sumptus, bonae operationis et magnarum fabricationum habet.