1907. gads  Britu zinātnieks Henrijs Džozefs Raunds atklāja, ka silīcija karbīda kristālos var atrast luminiscenci, ja tiek pielietota strāva.

1927. gads  Krievu zinātnieks Oļegs Losevs vēlreiz novēroja gaismas emisijas “apaļo efektu”.Tad viņš šo parādību izpētīja un aprakstīja sīkāk

1935. gads Franču zinātnieks Žoržs Destriau publicēja ziņojumu par cinka sulfīda pulvera elektorluminiscences fenomenu.Lai pieminētu priekšgājējus, viņš šo efektu nosauca par "Losew light" un šodien ierosināja terminu "vēlētāju luminiscences fenomens".

1950. gads  Pusvadītāju fizikas attīstība 1950. gadu sākumā nodrošināja teorētisko pamatu pētījumiem elektoroptiskām parādībām, savukārt pusvadītāju rūpniecība nodrošināja tīras, leģētas pusvadītāju plāksnes LED pētījumiem.

1962. gads  Nick Holon Yak, Jr. un SF Bevacqua no GF Company izmantoja GaAsP materiālus, lai izgatavotu sarkanās gaismas diodes.Šis ir pirmais redzamās gaismas LED, kas tiek uzskatīts par mūsdienu LED priekšteci

1965. gads  Infrasarkano gaismu izstarojošās LED komercializācija un sarkanā fosfora gallija arsenīda LED tirdzniecība drīzumā

1968. gads  Parādījās ar slāpekli leģētas gallija arsenīda gaismas diodes

1970. gadss  Ir gallija fosfāta zaļās gaismas diodes un silīcija karbīda dzeltenās gaismas diodes.Jaunu materiālu ieviešana uzlabo gaismas diožu gaismas efektivitāti un paplašina gaismas diožu gaismas spektru līdz oranžai, dzeltenai un zaļai gaismai.

1993. gads  Uzņēmums Nichia Chemical Company Nakamura Shuji un citi izstrādāja pirmo spilgti zilo gallija nitrīda LED un pēc tam izmantoja indija gallija nitrīda pusvadītāju, lai ražotu īpaši spilgtas ultravioletās, zilās un zaļās gaismas diodes, izmantojot alumīnija gallija indija fosfīdu. Pusvadītājs ražoja īpaši spilgti sarkanas un dzeltenas gaismas diodes.Tika izstrādāta arī balta gaismas diode.

1999. gads  Gaismas diožu ar izejas jaudu līdz 1W komercializācija

Šobrīd Globālajai LED industrijai ir trīs tehniskie ceļi.Pirmais ir safīra substrāta ceļš, ko pārstāv Japānas Nichia.Šobrīd tā ir visplašāk izmantotā un nobriedušākā tehnoloģija, taču tās trūkums ir tāds, ka to nevar izgatavot lielos izmēros.Otrais ir silīcija karbīda substrāta LED tehnoloģiju maršruts, ko pārstāv American CREE Company.Materiāla kvalitāte ir laba, bet tā materiālu izmaksas ir augstas un ir grūti sasniegt lielus izmērus.Trešā ir Ķīnas Jingneng Optoelectronics izgudrotā silīcija substrāta LED tehnoloģija, kuras priekšrocības ir zemas materiālu izmaksas, laba veiktspēja un liela mēroga ražošana.