1907  Britanski znanstvenik Henry Joseph Round je odkril, da lahko v kristalih silicijevega karbida najdemo luminiscenco ob dovodu toka.

1927  Ruski znanstvenik Oleg Lossew je znova opazil "okrogli učinek" svetlobne emisije.Nato je ta pojav podrobneje preučil in opisal

1935 Francoski znanstvenik Georges Destriau je objavil poročilo o pojavu elektoluminiscence prahu cinkovega sulfida.V spomin na predhodnike je ta učinek poimenoval "Lossew svetloba" in danes predlagal izraz "fenomen elektor-luminiscence".

1950  Razvoj polprevodniške fizike v zgodnjih petdesetih letih prejšnjega stoletja je zagotovil teoretično osnovo raziskav za elektrooptične pojave, medtem ko je polprevodniška industrija zagotovila čiste, dopirane polprevodniške rezine za raziskave LED

1962  Nick Holon yak, Jr. in SF Bevacqua iz podjetja GF Company sta uporabila materiale GaAsP za izdelavo rdečih svetlečih diod.To je prva LED za vidno svetlobo, ki velja za prednika sodobne LED

1965  Komercializacija LED, ki oddaja infrardečo svetlobo, in kmalu komercializacija LED iz rdečega fosforjevega galijevega arzenida

1968  Pojavile so se LED diode galijevega arzenida, dopirane z dušikom

1970s  Obstajajo zelene LED diode iz galijevega fosfata in rumene LED diode iz silicijevega karbida.Uvedba novih materialov izboljša svetlobno učinkovitost LED in razširi svetlobni spekter LED na oranžno, rumeno in zeleno svetlobo.

1993  Nakamura Shuji iz družbe Nichia Chemical Company in drugi so razvili prvo svetlo modro galijev nitrid LED, nato pa so uporabili polprevodnik indij galijev nitrid za proizvodnjo ultra svetlih ultravijoličnih, modrih in zelenih LED z uporabo aluminijevega galijevega indijevega fosfida. Polprevodnik je proizvedel super svetle rdeče in rumene LED.Oblikovana je bila tudi bela LED.

1999  Komercializacija LED diod z izhodno močjo do 1W

Trenutno Globalna LED industrija ima tri tehnične poti.Prva je pot safirnega substrata, ki jo predstavlja japonska Nichia.Trenutno je najbolj razširjena in najbolj zrela tehnologija, vendar je njena pomanjkljivost ta, da je ni mogoče izdelati v velikih velikostih.Druga je pot tehnologije LED s substratom iz silicijevega karbida, ki jo zastopa ameriško podjetje CREE.Kakovost materiala je dobra, vendar so njegovi stroški materiala visoki in je težko doseči veliko velikost.Tretja je tehnologija LED s silicijevim substratom, ki jo je izumil China Jingneng Optoelectronics in ima prednosti nizkih stroškov materiala, dobre zmogljivosti in obsežne proizvodnje.